更新時(shi)間：2025-09-05
訪問(wen)量(liang)：455
廠(chang)商性(xing)質(zhi)：生(sheng)產(chan)廠家(jia)
生(sheng)產(chan)地(di)址(zhi)：
| 品牌(pai) | 智(zhi)感環(huan)境 | 應(ying)用領(ling)域(yu) | 環(huan)保(bao) |
|---|
1、組(zu)成與結(jie)構
平板式(shi)雙(shuang)面 DGT外(wai)殼(ke)如(ru)下圖(tu)。圖(tu)中(zhong)A、B為平板(ban)式(shi)結構(gou)的兩個基礎組(zu)件(jian)，A為放置(zhi)膜(mo)的(de)底(di)板(ban)，用於放置(zhi)三層(ceng)膜(mo)，B為蓋(gai)板(ban)，起(qi)到(dao)固(gu)定(ding)三層(ceng)膜(mo)、密(mi)封(feng)底(di)板(ban)外(wai)緣的(de)作(zuo)用，固(gu)定(ding)後的A、B構成平板(ban)裝置(zhi)C，暴露窗口的(de)長(chang)度(du)150mm、寬度(du)20mm，目標(biao)離子(zi)通過(guo)暴露窗口進入(ru)DGT擴(kuo)散層(ceng)。
TCH-95&ZrO-CA DGT產(chan)品結(jie)構
DGT外(wai)殼(ke)的(de)底(di)部縱(zong)向結(jie)構，使裝置(zhi)暴露面至底(di)部*處在兩(liang)個(ge)平面上，底(di)部呈三角(jiao)形(xing)，這種(zhong)結(jie)構(gou)可以減小裝置(zhi)插入(ru)對(dui)沈(chen)積物(wu)界面的破壞作(zuo)用，同(tong)時DGT暴露面與沈積(ji)物(wu)貼合，減少(shao)上覆(fu)水下灌(guan)對(dui)測(ce)定(ding)的幹(gan)擾(rao)。
2、規(gui)格與(yu)參數(shu)
目標(biao)物(wu) | （CH3Hg+、Hg2+)& S(-Ⅱ)二維(wei)& 16種(zhong)陰(yin)陽(yang)離子(zi)同(tong)步(bu)(P、As、Cr、Mo、Sb、Se、V、W、Fe、C d、Co、Cu、Mn、Ni、Pb、Zn) |
固(gu)定(ding)膜(mo) | TCH-95&ZrO-CA 固(gu)定(ding)膜(mo)，厚度0.40 mm，長(chang)*寬為150*20mm |
濾膜(mo) | PVDF, 厚度0.10 mm，長(chang)*寬為150*20mm |
擴(kuo)散系(xi)數(shu) | 參考“技術(shu)支(zhi)持-智(zhi)感用戶(hu)使用手冊" |
采樣(yang)面積 | 150*20mm |
包裝 | 單(dan)個(ge)獨(du)立包裝，無(wu)菌(jun)鋁(lv)箔(bo)袋(dai)，密封(feng)濕潤(run)保(bao)存(cun)，包裝袋避(bi)光 |
保(bao)存(cun)期限(xian) | 常(chang)溫(wen)條件(jian)下（4-40℃）12個(ge)月(yue) |
3、產(chan)品優(you)勢(shi)
(1) 可同(tong)步(bu)測(ce)定(ding)15種(zhong)稀(xi)土元素(su)（CH3Hg+、Hg2+)& S(-Ⅱ)二維(wei)& 16種(zhong)陰(yin)陽(yang)離子(zi)同(tong)步(bu)(P、As、Cr、Mo、Sb、Se、V、W、Fe、C d、Co、Cu、Mn、Ni、Pb、Zn)；
（2）多(duo)指標(biao)同(tong)步(bu)測(ce)定(ding)；
（3）原位(wei)采樣(yang)與監測(ce)，對(dui)原生(sheng)環(huan)境破壞性(xing)小(xiao)；
（4）測(ce)定(ding)容量(liang)高(gao)、抗(kang)環境強(qiang)。
案例(li)壹(yi)：磷(lin)、硫(liu)二維(wei)高(gao)分辨(bian)同(tong)步(bu)測(ce)定(ding)
案例(li)二：營(ying)養(yang)鹽與(yu)重金(jin)屬(shu)同(tong)步(bu)測(ce)定(ding)
咨(zi)詢(xun)電(dian)話